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Conception, fabrication et caractérisation de photodiodes à base de nitrures semiconducteurs : application aux composants ultra-rapides (Document en Anglais)
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Droits d'auteur : Ce document est protégé en vertu du Code de la Propriété Intellectuelle.

Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse consultable sur internet, en texte intégral.
Informations sur les contributeurs
Auteur : Alshehri Bandar
Alshehri, Bandar

Nom
Alshehri

Prénom
Bandar

Nationalité
SA



Date de soutenance : 07-10-2016

Directeur(s) de thèse : Dogheche Elhadj
Dogheche, Elhadj

Nom
Dogheche

Prénom
Elhadj



Président du jury : Lasri Tuami
Lasri, Tuami

Nom
Lasri

Prénom
Tuami



Membres du jury : Dogheche Elhadj
Dogheche, Elhadj

Nom
Dogheche

Prénom
Elhadj


- Decoster Didier
Decoster, Didier

Nom
Decoster

Prénom
Didier


- Ramdane Abderrahim
Ramdane, Abderrahim

Nom
Ramdane

Prénom
Abderrahim


- Li Hong Wu
Li, Hong Wu

Nom
Li

Prénom
Hong Wu


- Zhang Xixiang
Zhang, Xixiang

Nom
Zhang

Prénom
Xixiang



Rapporteurs : Li Hong Wu
Li, Hong Wu

Nom
Li

Prénom
Hong Wu


- Zhang Xixiang
Zhang, Xixiang

Nom
Zhang

Prénom
Xixiang




Laboratoire : Département Opto-Acousto-Electronique de l'IEMN - IEMN-DOAE
Ecole doctorale : Sciences pour l'ingénieur (SPI)
 
Informations générales
Discipline : Électronique. Micro et nano technologie
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés : Nitrures semiconducteursPhotodiodesConception et fabrication
Dispositifs optoélectroniques -- Thèses et écrits académiquesPhotodiodes -- Thèses et écrits académiquesComposés semiconducteurs -- Thèses et écrits académiques

Résumé : Les matériaux semi-conducteurs à base de nitrures disposant de largeur de bande interdite allant de 0,7 à 6 eV, connaissent un intérêt sans cesse croissant pour le développement de dispositifs optoélectroniques du futur. Le but de ces travaux est d’étudier, de concevoir et de développer une photodiode de type PIN à base de matériaux InxGa1-xN et GaN déposés par MOCVD et MBE. Elle est étudiée en considérant différentes configurations de la couche absorbante InGaN, à savoir une couche simple épaisse (SL) ou des puits quantiques (MQW). Toutefois en jouant sur la composition x en indium de la couche InGaN, cela permet la mise au point de différente longueur d'onde d'absorption dans la structure PIN. Des analyses structurales, microstructurales et optiques ont été réalisées par RX, TEM, PL, AFM et MEB pour des photodiodes PIN avec une couche absorbante InGaN de composition en indium variant de 10 à 50%. Nous avons pu vérifier que la qualité du matériau se dégradait lorsque l'on augmentait la teneur en indium et que cela impactait sur les performances de composants. La conception de la structure PIN a été définie pour différentes géométries de photodiode (de 25 à 104 ?m²). Des caractérisations statiques et dynamiques de dispositifs fabriquées ont été réalisées afin d'obtenir la réponse de la photodiode. Pour les photodiodes à grande échelle, la valeur de photocourant a atteint un maximum de 3,2 mA démontrant une fréquence de coupure de 940 MHz. La ?-photodiode a révélé 395 ?A de photocourant et une fréquence de coupure 1,45 GHz.
 
Informations techniques
Type de contenu : Texte
Format : PDF
 
Informations complémentaires
Identifiant : uvhc-ori-oai-wf-1-2183
Type de ressource : Thèse